IR2104PBF
Код товару: 61916
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: PDIP-8
Напруга живлення Uc, В: 600 В
Вихідний струм Io ±, А: 130/270 А
Вихідна напруга Vout, В: 10-20 В В
Час вмик./вимк. Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Робоча температура, °С: -40…+125°С
Конфігурація: Напівміст
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2104PBF IR
- DRIVER, MOSFET/IGBT, HALF BRIDGE
- Driver IC Type:MOSFET
- No. of Outputs:2
- Output Voltage:620V
- Output Current:210mA
- Power Dissipation Pd:1W
- Min Supply Voltage:10V
- Case Style:DIP
- No. of Pins:8
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Base Number:2104
- IC Generic Number:2104
- Logic Function Number:2104
- Max Operating Temperature:150`C
- Max Output Voltage:20V
- Max Supply Voltage:20V
- Min Output Voltage:10V
- Min Temperature Operating:-55`C
- Offset Voltage:600V
- Termination Type:Through Hole
- Driver IC Case Style:DIP
- Min Output Sink Current:270mA
- Min Output Source Current:130mA
- Turn Off Time, t Off:150ns
- Turn On Time, t On:680ns
Інші пропозиції IR2104PBF за ціною від 109.88 грн до 295.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IR2104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR2104PBF | Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR2104PBF | Infineon Technologies |
Driver 0.36A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR2104PBF | Infineon Technologies |
Driver 0.36A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube |
на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IR2104PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IR2104PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.72 грн |
| 10+ | 157.88 грн |
| 25+ | 146.25 грн |
| 50+ | 138.77 грн |
| 100+ | 132.95 грн |
| 250+ | 125.48 грн |
| IR2104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.83 грн |
| 10+ | 192.28 грн |
| 50+ | 167.25 грн |
| 100+ | 149.70 грн |
| 250+ | 142.02 грн |
| 500+ | 137.40 грн |
| 1000+ | 131.40 грн |
| IR2104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Driver 0.36A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Driver 0.36A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 295.43 грн |
| 51+ | 279.83 грн |
| 65+ | 219.17 грн |
| 100+ | 193.92 грн |
| 250+ | 161.22 грн |
| 500+ | 151.36 грн |
| 1000+ | 124.26 грн |
| 2500+ | 109.88 грн |
| IR2104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Driver 0.36A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
Driver 0.36A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 295.70 грн |
| 10+ | 280.09 грн |
| 50+ | 219.37 грн |
| 100+ | 194.11 грн |
| 250+ | 161.37 грн |
| 500+ | 151.50 грн |
| 1000+ | 124.38 грн |
| 2500+ | 109.98 грн |
| IR2104PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1N4148 Код товару: 176824
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
у наявності: 10804 шт
- 5889 шт - склад
- 938 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 541 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 116 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3320 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 34+ | 0.60 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.28 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
23
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 28681 шт
- 20369 шт - склад
- 810 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2625 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 885 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3992 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 164 шт
- 164 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 27+ | 0.76 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.41 грн |
| 1000uF 35V ECR 13x21mm (ECR102M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2946
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 13x21 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 35 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 13x21 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 760 шт
- 603 шт - склад
- 38 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 22 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 47 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 27 шт
- 27 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.60 грн |
| 100+ | 5.80 грн |
| 1000uF 50V ECR 13x26mm (ECR102M50BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2728
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 16x26 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.50 грн |
| 10+ | 11.20 грн |
| 100+ | 10.00 грн |
| 1000+ | 9.00 грн |
| 10uF 16V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2706
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 4x7 мм
Строк служби: 1000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 мкФ
Номін. напруга: 16 В
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 4x7 мм
Строк служби: 1000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 2894 шт
- 2526 шт - склад
- 125 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 42 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 201 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 200 шт
- 200 шт - очікується
на замовлення: 4 шт
- 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |











