
IR2106STRPBF Infineon Technologies

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 44.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2106STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2106STRPBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 350mAout, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 350mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 200mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 220ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IR2106STRPBF за ціною від 37.77 грн до 123.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 21717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -0.35...0.2A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 220ns Turn-off time: 200ns |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -0.35...0.2A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 220ns Turn-off time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 877 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
IR2106STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |