Продукція > IR > IR2109STR

IR2109STR


ir2109.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7e85b1679 Виробник: IR
09+
на замовлення 2887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IR2109STR IR

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V, Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IR2109STR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IR2109STR Виробник : IR ir2109.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7e85b1679 2001
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IR2109STR IR2109STR Виробник : Infineon Technologies ir2109.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7e85b1679 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній