IR2109STRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDriver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2109STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2109STRPBF - Gate-Treiber, Halbbrücke, 600V, 120mA Source, 250mA Sink, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 350mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 200mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 750ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IR2109STRPBF за ціною від 42.79 грн до 105.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2109STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2109STRPBF - Gate-Treiber, Halbbrücke, 600V, 120mA Source, 250mA Sink, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2109STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -250...120mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 200ns Turn-on time: 750ns Power: 625mW |
на замовлення 3718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2109STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -250...120mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 200ns Turn-on time: 750ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3718 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2109STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2109STRPBF - Gate-Treiber, Halbbrücke, 600V, 120mA Source, 250mA Sink, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 750ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IR2109STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |