Продукція > Мікросхеми > Драйвери транзисторів > IR2112PBF
IR2112PBF

IR2112PBF

ir2112d9ywe79fgi.pdf
Код товару: 45221
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: PDIP-14
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 0,2/0,42 A
V out, V: 10-20V V
T on/T off, ns: 125/105 ns
Примітка: Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+85.00 грн
10+77.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IR2112PBF IR

  • DRIVER, MOSFET/IGBT, 2112, DIP14
  • Driver IC Type:Power
  • No. of Outputs:2
  • Output Voltage:620V
  • Output Current:250mA
  • Power Dissipation Pd:1.6W
  • Min Supply Voltage:10V
  • Case Style:DIP
  • No. of Pins:14
  • Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
  • Base Number:2112
  • IC Generic Number:2112
  • Logic Function Number:2112
  • Max Operating Temperature:125`C
  • Max Output Voltage:20V
  • Max Supply Voltage:20V
  • Min Output Voltage:10V
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Offset Voltage:600V
  • Termination Type:Through Hole
  • Driver IC Case Style:DIP
  • Logic IC Function:Independent High & Low Side
  • Max Voltage Vcc:25V
  • Min Output Sink Current:420mA
  • Min Output Source Current:200mA
  • Min Voltage Vcc:10V
  • Turn Off Time, t Off:105ns
  • Turn On Time, t On:125ns

Інші пропозиції IR2112PBF за ціною від 145.57 грн до 348.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2112PBF IR2112PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.79 грн
10+194.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF Infineon Technologies infineonir2112dsv0100en.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+256.37 грн
500+242.26 грн
1000+229.32 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF Infineon Technologies infineonir2112dsv0100en.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.56 грн
10+244.18 грн
25+231.58 грн
100+208.68 грн
250+186.26 грн
500+169.16 грн
1500+167.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF Infineon Technologies infineonir2112dsv0100en.pdf description Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+296.13 грн
57+247.99 грн
60+235.20 грн
100+211.95 грн
250+189.17 грн
500+171.80 грн
1500+170.15 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF Infineon Technologies infineon-ir2112-ds-en.pdf description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.06 грн
10+218.35 грн
25+200.92 грн
100+170.56 грн
250+161.99 грн
500+156.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF Infineon Technologies Infineon_IR2112_DS_v01_00_EN.pdf description Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.24 грн
10+235.34 грн
25+187.77 грн
100+170.19 грн
250+161.75 грн
500+156.83 грн
1000+145.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF INFINEON 81037.pdf description Description: INFINEON - IR2112PBF - MOSFET-Treiber, zweifach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 105ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.70 грн
10+265.01 грн
25+244.50 грн
50+216.37 грн
100+189.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description ir2112.pdf
IR2112PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+249.79 грн
10+194.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description infineonir2112dsv0100en.pdf
IR2112PBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
138+256.37 грн
500+242.26 грн
1000+229.32 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description infineonir2112dsv0100en.pdf
IR2112PBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+291.56 грн
10+244.18 грн
25+231.58 грн
100+208.68 грн
250+186.26 грн
500+169.16 грн
1500+167.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description infineonir2112dsv0100en.pdf
IR2112PBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 14-Pin PDIP Tube
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
48+296.13 грн
57+247.99 грн
60+235.20 грн
100+211.95 грн
250+189.17 грн
500+171.80 грн
1500+170.15 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description infineon-ir2112-ds-en.pdf
IR2112PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side, Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+299.06 грн
10+218.35 грн
25+200.92 грн
100+170.56 грн
250+161.99 грн
500+156.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description Infineon_IR2112_DS_v01_00_EN.pdf
IR2112PBF
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+314.24 грн
10+235.34 грн
25+187.77 грн
100+170.19 грн
250+161.75 грн
500+156.83 грн
1000+145.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description 81037.pdf
IR2112PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2112PBF - MOSFET-Treiber, zweifach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung, 420mAout, 105ns, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 125ns
Ausgabeverzögerung: 105ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+348.70 грн
10+265.01 грн
25+244.50 грн
50+216.37 грн
100+189.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

3 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-3KR-Hitano) (S)
Код товару: 13770
Додати до обраних Обраний товар
CR-S_080911.pdf
3 kOhm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-3KR-Hitano) (S)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 3 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 2229 шт
810 шт - склад
359 шт - РАДІОМАГ-Київ
190 шт - РАДІОМАГ-Львів
870 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується
КількістьЦіна
30+0.70 грн
100+0.55 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 400V ESG 13x25mm (for ballast, 5000годин) (ESG220M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 11465
1 Додати до обраних Обраний товар
ESG_080319.pdf
22uF 400V ESG 13x25mm (for ballast, 5000годин) (ESG220M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1393 шт
1348 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 55 шт
55 шт - очікується
КількістьЦіна
2+15.00 грн
10+13.50 грн
100+11.90 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 6694
4 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 168 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
117 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 29.10.2026
КількістьЦіна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
100+1.10 грн
1000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 3481
5 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
470uF 25V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR471M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 8261 шт
7610 шт - склад
266 шт - РАДІОМАГ-Київ
157 шт - РАДІОМАГ-Львів
228 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+4.10 грн
1000+3.70 грн
10000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 63V ECR 5x11mm (ECR4R7M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3137
Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
4,7uF 63V ECR 5x11mm (ECR4R7M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 11169 шт
10824 шт - склад
119 шт - РАДІОМАГ-Київ
53 шт - РАДІОМАГ-Львів
173 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
14+1.50 грн
17+1.20 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.