Технічний опис IR2112STR IR
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 16-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2112STR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IR2112STR | Виробник : IOR |
![]() |
на замовлення 912 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IR2112STR | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IR2112STR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IR2112STR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 16-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |