IR2118SPBF Infineon Technologies
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2118SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2118SPBF - MOSFET-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 500mA, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 250mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 125ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IR2118SPBF за ціною від 59.44 грн до 157.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2118SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -420...200mA Power: 625mW Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V DC Turn-off time: 105ns Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Type of integrated circuit: driver Case: SO8 Voltage class: 600V Kind of package: tube Turn-on time: 125ns |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2118SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -420...200mA Power: 625mW Number of channels: 1 Supply voltage: 10...20V DC Turn-off time: 105ns Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Type of integrated circuit: driver Case: SO8 Voltage class: 600V Kind of package: tube Turn-on time: 125ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2118SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2118SPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2118SPBF - MOSFET-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 250mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2118SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2118SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2118SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2118SPBF Код товару: 27965
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів Корпус: SO-8 Примітка: MOSFET DRIVER HIGH SIDE |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2118SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IR2118SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |