Технічний опис IR21365STRPBF IR
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 12V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 28-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns, Channel Type: 3-Phase, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 6, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR21365STRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IR21365STRPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IR21365STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IR21365STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 12V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 28-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |