
IR2181SPBF Infineon Technologies
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 137.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2181SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.9A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 180ns, Ausgabeverzögerung: 220ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IR2181SPBF за ціною від 119.55 грн до 341.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 268375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 180ns Turn-off time: 0.22µs Protection: undervoltage UVP |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 180ns Turn-off time: 0.22µs Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |