IR2181SPBF Infineon Technologies
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2181SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2.3A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1.9A, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 180ns, Ausgabeverzögerung: 220ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IR2181SPBF за ціною від 82.83 грн до 286.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 268375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers High Low Side DRVR 600V 10 to 20V |
на замовлення 2987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2181SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 2 Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 600V Turn-off time: 0.22µs Protection: undervoltage UVP Topology: MOSFET half-bridge Power: 625mW Kind of package: tube Turn-on time: 180ns |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IR2181SPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2181SPBF - MOSFET-Treiber, 2fach, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 2.3Aout, 220ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -2.3...1.9A Number of channels: 2 Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 600V Turn-off time: 0.22µs Protection: undervoltage UVP Topology: MOSFET half-bridge Power: 625mW Kind of package: tube Turn-on time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IR2181SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |