Технічний опис IR2235SPBF IR
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 125°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V, Supplier Device Package: 28-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns, Channel Type: 3-Phase, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 6, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2235SPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IR2235SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IR2235SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V Supplier Device Package: 28-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns Channel Type: 3-Phase Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 6 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IR2235SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |