Технічний опис IR2301 IR
Description: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 5V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-PDIP, Rise / Fall Time (Typ): 130ns, 50ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: High-Side or Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V, Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA, Part Status: Obsolete, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR2301
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IR2301 | Виробник : IR |
 09+ |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IR2301 | Виробник : IR |
SOP-8 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IR2301 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 130ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |