IR2301SPBF Infineon Technologies
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 92.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR2301SPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IR2301SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 350mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 200mA, Versorgungsspannung, min.: 5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 220ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IR2301SPBF за ціною від 73.09 грн до 169.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IR2301SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Topology: MOSFET half-bridge Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...125°C Output current: -0.35...0.2A Turn-off time: 200ns Turn-on time: 220ns Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 5...20V DC Voltage class: 600V |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2301SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 5V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 130ns, 50ns Channel Type: Independent Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2301SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 5V to 20V |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2301SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2301SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IR2301SPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IR2301SPBF - Treiber-IC, 2fach, High- & Low-Side, 5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 200ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 5V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 220ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IR2301SPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: tube Topology: MOSFET half-bridge Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...125°C Output current: -0.35...0.2A Turn-off time: 200ns Turn-on time: 220ns Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 5...20V DC Voltage class: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IR2301SPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Driver 600V 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IR2301SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IR2301SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |