IR25602SPBF Infineon Technologies
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IR25602SPBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IR25602SPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IR25602SPBF Код товару: 133536 |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів |
товар відсутній
|
|||
IR25602SPBF | Виробник : Infineon Technologies | Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
||
IR25602SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |