IRF100B201

IRF100B201 Infineon Technologies


irf7319pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
203+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 203
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100B201 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF100B201 за ціною від 44.78 грн до 276.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+82.41 грн
155+79.62 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf100b201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+110.01 грн
10+88.35 грн
100+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+115.90 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.81 грн
50+89.35 грн
100+85.11 грн
500+64.50 грн
1000+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF100B201-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 4509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.72 грн
10+99.64 грн
100+82.09 грн
500+66.66 грн
1000+59.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.81 грн
10+115.10 грн
100+106.58 грн
500+79.96 грн
1000+63.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.21 грн
10+183.68 грн
50+161.51 грн
100+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.25 грн
10+228.89 грн
50+193.81 грн
100+181.46 грн
250+164.36 грн
500+152.96 грн
1000+141.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 Виробник : UMW irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 Виробник : International Rectifier HiRel Products irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+121.13 грн
500+108.81 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201
Код товару: 172773
Додати до обраних Обраний товар

irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.