Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF100B201

IRF100B201

infineon-irf100b201-datasheet-en.pdf
Код товару: 172773
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF100B201 за ціною від 50.29 грн до 331.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF100B201 IRF100B201 UMW TIRF100B201_UMW_UMW_0001.pdf IRF100B201 UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; TIRF100B201 UMW
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+131.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.81 грн
10+178.76 грн
11+95.73 грн
28+90.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+268.48 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies irf100s201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 6738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.47 грн
10+203.28 грн
50+157.60 грн
100+134.12 грн
500+109.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon_irf100b201_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+331.95 грн
10+214.11 грн
100+138.89 грн
500+116.36 грн
1000+108.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 TIRF100B201_UMW_UMW_0001.pdf
IRF100B201
Виробник: UMW
IRF100B201 UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; TIRF100B201 UMW
на замовлення 100 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 irf100s201.pdf
IRF100B201
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+131.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 irf100s201.pdf
IRF100B201
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+131.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.81 грн
10+178.76 грн
11+95.73 грн
28+90.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 irf100s201.pdf
IRF100B201
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+268.48 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 irf100s201.pdf
IRF100B201
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+268.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 infineon-irf100b201-datasheet-en.pdf
IRF100B201
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 6738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.47 грн
10+203.28 грн
50+157.60 грн
100+134.12 грн
500+109.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 infineon_irf100b201_datasheet_en.pdf
IRF100B201
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 92 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.95 грн
10+214.11 грн
100+138.89 грн
500+116.36 грн
1000+108.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100B201
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.