IRF100B201 Infineon Technologies
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 204+ | 62.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF100B201 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF100B201 за ціною від 57.31 грн до 204.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF100B201 Код товару: 172773
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 876 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg |
на замовлення 10010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 4200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
на замовлення 3911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF100B201 | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF100B201 | Виробник : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRF100B201 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |