IRF100B201

IRF100B201 Infineon Technologies


irf7319pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100B201 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF100B201 за ціною від 44.03 грн до 297.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
198+61.48 грн
214+56.83 грн
241+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+66.72 грн
12+61.78 грн
100+54.18 грн
500+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf100b201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.56 грн
10+106.88 грн
100+102.64 грн
500+76.87 грн
1000+63.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+169.58 грн
73+166.35 грн
105+116.31 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF100B201-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 7937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.14 грн
10+105.22 грн
100+84.69 грн
500+68.28 грн
1000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.59 грн
50+92.78 грн
100+85.52 грн
500+63.76 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.68 грн
8+126.02 грн
21+118.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.22 грн
8+157.04 грн
21+142.72 грн
2000+138.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 Виробник : UMW irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 Виробник : International Rectifier HiRel Products irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
255+119.11 грн
500+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 255
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201
Код товару: 172773
Додати до обраних Обраний товар

irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.