Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100B201
IRF100B201

IRF100B201 Infineon Technologies

infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.28 грн
25+40.36 грн
100+37.79 грн
500+33.89 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100B201 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF100B201 за ціною від 33.89 грн до 291.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
265+46.02 грн
284+42.91 грн
293+41.68 грн
500+38.91 грн
1000+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 265
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+55.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+59.86 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf100b201.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+118.49 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.03 грн
10+147.69 грн
25+93.54 грн
100+78.69 грн
500+65.92 грн
1000+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.66 грн
50+94.22 грн
100+89.39 грн
500+67.74 грн
1000+62.56 грн
2000+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.18 грн
10+169.05 грн
100+114.09 грн
500+87.38 грн
1000+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : UMW 478f1cc4e965864facf633279bdf861c.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.06 грн
10+142.67 грн
100+98.76 грн
500+75.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 255nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: THT
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.17 грн
8+122.95 грн
21+116.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
On-state resistance: 4.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 441W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 255nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 690A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.80 грн
8+153.22 грн
21+140.12 грн
2000+135.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 Виробник : UMW irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 478f1cc4e965864facf633279bdf861c.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF100B201; SP001561498; IRF100B201 UMW TIRF100B201 UMW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201
Код товару: 172773
Додати до обраних Обраний товар

irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 478f1cc4e965864facf633279bdf861c.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.