Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF100B202

IRF100B202

irf100b202-1228203.pdf
Код товару: 167969
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 97 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF100B202 за ціною від 42.22 грн до 145.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+65.27 грн
245+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.97 грн
2000+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.97 грн
2000+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.11 грн
12+64.85 грн
100+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+101.65 грн
500+91.49 грн
1000+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+101.65 грн
500+91.49 грн
1000+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.14 грн
5+102.12 грн
10+90.59 грн
50+68.36 грн
100+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.48 грн
10+89.91 грн
100+61.22 грн
500+45.92 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+65.27 грн
245+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+66.97 грн
2000+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+66.97 грн
2000+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
179+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.11 грн
12+64.85 грн
100+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
346+101.65 грн
500+91.49 грн
1000+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
346+101.65 грн
500+91.49 грн
1000+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202.pdf
IRF100B202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.14 грн
5+102.12 грн
10+90.59 грн
50+68.36 грн
100+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.48 грн
10+89.91 грн
100+61.22 грн
500+45.92 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100B202
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF100B202
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.