IRF100B202 Infineon Technologies
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF100B202 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF100B202 за ціною від 48.37 грн до 177.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF100B202 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF100B202 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF100B202 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF100B202 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 221W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF100B202 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF100B202 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 221W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF100B202 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF100B202 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 221W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF100B202 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 221W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF100B202 Код товару: 167969
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 97 A Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
IRF100B202 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |