Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100B202
IRF100B202

IRF100B202 Infineon Technologies

infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100B202 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF100B202 за ціною від 45.32 грн до 159.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+78.30 грн
194+64.00 грн
500+57.56 грн
1000+52.29 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+89.77 грн
500+80.79 грн
1000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+89.77 грн
500+80.79 грн
1000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
346+89.77 грн
500+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 346
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+112.96 грн
10+83.81 грн
100+68.51 грн
500+59.41 грн
1000+51.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.37 грн
10+71.76 грн
100+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.57 грн
10+54.23 грн
100+45.39 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.45 грн
10+89.43 грн
100+76.55 грн
500+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.43 грн
14+63.46 грн
100+55.56 грн
500+51.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+158.81 грн
192+64.85 грн
207+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.81 грн
10+98.96 грн
100+67.38 грн
500+50.55 грн
1000+46.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202
Код товару: 167969
Додати до обраних Обраний товар

irf100b202-1228203.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.