Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100B202
IRF100B202

IRF100B202 Infineon Technologies

infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100B202 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 221W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF100B202 за ціною від 43.57 грн до 176.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+64.95 грн
227+53.85 грн
500+53.46 грн
1000+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+88.29 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+88.29 грн
500+79.46 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+88.29 грн
500+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+124.29 грн
11+67.44 грн
100+55.91 грн
500+53.52 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 221W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.00 грн
10+76.96 грн
15+63.47 грн
41+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN-3362964.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.84 грн
10+63.85 грн
100+44.56 грн
500+44.18 грн
1000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732550-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.38 грн
13+67.41 грн
100+54.00 грн
500+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.92 грн
178+68.81 грн
185+65.97 грн
200+63.38 грн
1000+57.16 грн
2000+54.73 грн
3000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 221W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.00 грн
10+95.90 грн
15+76.16 грн
41+71.40 грн
2000+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4476 pF @ 50 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.31 грн
10+76.80 грн
100+60.26 грн
500+51.39 грн
1000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202
Код товару: 167969
Додати до обраних Обраний товар

irf100b202-1228203.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 97 A
Rds(on), Ohm: 8,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4476/77
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100b202datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.