IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 534.48 грн |
| 25+ | 305.60 грн |
| 100+ | 255.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 209A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF100P218AKMA1 за ціною від 225.28 грн до 666.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF100P218AKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005537804 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube |
товару немає в наявності |