Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100P218AKMA1
IRF100P218AKMA1

IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies

infineonirf100p218dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+461.36 грн
100+359.20 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 209A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 556W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції IRF100P218AKMA1 за ціною від 210.42 грн до 554.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies infineonirf100p218dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+462.99 грн
25+458.36 грн
100+356.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies infineonirf100p218dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+528.31 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83 Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+554.83 грн
25+317.23 грн
100+265.55 грн
500+210.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 INFINEON 3179316.pdf Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF100P218_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 infineonirf100p218dsv0100en.pdf
IRF100P218AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+462.99 грн
25+458.36 грн
100+356.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 infineonirf100p218dsv0100en.pdf
IRF100P218AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+528.31 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
IRF100P218AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+554.83 грн
25+317.23 грн
100+265.55 грн
500+210.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 3179316.pdf
IRF100P218AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 Infineon_IRF100P218_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IRF100P218AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.