| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.23 грн |
| 10+ | 310.57 грн |
| 100+ | 226.55 грн |
| 400+ | 203.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 209A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF100P218AKMA1 за ціною від 211.00 грн до 980.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 209A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 412 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 50 V |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF100P218AKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100P218AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 209 A, 1100 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF100P218AKMA1 | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 24000 @ 50, Qg, нКл = 412, Rds = 1,28 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 556, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF100P218AKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |