IRF100P219AKMA1

IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies


infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+254.44 грн
10+246.81 грн
25+225.23 грн
100+175.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF100P219AKMA1 за ціною від 148.82 грн до 389.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+254.44 грн
57+246.81 грн
62+225.23 грн
100+175.11 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+265.30 грн
800+256.19 грн
13600+234.51 грн
20400+211.51 грн
27200+185.69 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.92 грн
10+284.14 грн
25+259.29 грн
100+201.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+294.65 грн
49+285.83 грн
54+260.83 грн
100+202.79 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86 Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.35 грн
10+334.26 грн
100+205.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86 Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.78 грн
25+203.38 грн
100+168.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF100P219_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.56 грн
10+219.92 грн
100+158.55 грн
400+148.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+389.94 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 316A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 316A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.