Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100P219AKMA1
IRF100P219AKMA1

IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies

infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+119.95 грн
10+118.07 грн
25+116.09 грн
100+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 341W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції IRF100P219AKMA1 за ціною від 110.04 грн до 363.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+119.95 грн
120+118.07 грн
122+116.09 грн
124+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.31 грн
25+296.40 грн
100+233.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+301.26 грн
48+298.35 грн
100+235.47 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+339.47 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86 Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.66 грн
25+203.31 грн
100+168.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 INFINEON 3179317.pdf Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF100P219_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 5132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+119.95 грн
120+118.07 грн
122+116.09 грн
124+110.04 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+299.31 грн
25+296.40 грн
100+233.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+301.26 грн
48+298.35 грн
100+235.47 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 infineonirf100p219datasheetv0201en.pdf
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+339.47 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 Infineon-IRF100P219-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d52df4b86
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12020 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+363.66 грн
25+203.31 грн
100+168.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 3179317.pdf
IRF100P219AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100P219AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P219AKMA1 Infineon_IRF100P219_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IRF100P219AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 5132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.