Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100PW219XKSA1
IRF100PW219XKSA1

IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 278µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.39 грн
30+202.58 грн
120+167.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100PW219XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 341W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції IRF100PW219XKSA1 за ціною від 304.56 грн до 541.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies infineonirf100pw219datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.76 грн
30+304.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies infineonirf100pw219datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+541.76 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 INFINEON Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44 Description: INFINEON - IRF100PW219XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 IRF100PW219XKSA1 Infineon Technologies Infineon_01-31-2025_DS_IRF100PW219_2_0.pdf MOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 infineonirf100pw219datasheetv0200en.pdf
IRF100PW219XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+541.76 грн
30+304.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 infineonirf100pw219datasheetv0200en.pdf
IRF100PW219XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+541.76 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 Infineon-IRF100PW219-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d11e9f761e44
IRF100PW219XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100PW219XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 1700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100PW219XKSA1 Infineon_01-31-2025_DS_IRF100PW219_2_0.pdf
IRF100PW219XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs StrongIRFET Power MOSFET, 100 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.