Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100S201
IRF100S201

IRF100S201 Infineon Technologies

infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+158.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100S201 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 3500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF100S201 за ціною від 161.18 грн до 201.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+201.37 грн
500+193.17 грн
1000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+201.37 грн
500+193.17 грн
1000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 3500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 3500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+161.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+201.37 грн
500+193.17 грн
1000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
175+201.37 грн
500+193.17 грн
1000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf
IRF100S201
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100S201
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 3500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100S201
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 3500 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.