Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF100S201
IRF100S201

IRF100S201 Infineon Technologies

infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF100S201 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF100S201 за ціною від 119.92 грн до 310.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+129.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+137.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+160.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+174.88 грн
500+167.76 грн
1000+158.61 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+174.88 грн
500+167.76 грн
1000+158.61 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.67 грн
10+206.32 грн
100+160.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.40 грн
10+210.66 грн
25+175.83 грн
100+141.99 грн
800+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies irf100s201.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da574c1880 Description: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.37 грн
10+206.37 грн
100+153.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 IRF100S201 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.