IRF1010E JSMicro Semiconductor


Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010E JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM, кількість в упаковці: 10 шт.

Інші пропозиції IRF1010E за ціною від 29.14 грн до 38.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010E Виробник : JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E Виробник : International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E
Код товару: 24949
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010E IRF1010E Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.