IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 38.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF1010ESTRLPBF за ціною від 46.63 грн до 172.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 59A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 330A Mounting: SMD Case: D2PAK |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 59A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 330A Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC |
на замовлення 502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRF1010ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |