Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1010EZPBF
IRF1010EZPBF

IRF1010EZPBF Infineon Technologies

infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010EZPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1010EZPBF за ціною від 29.95 грн до 138.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
238+51.15 грн
244+49.89 грн
500+47.13 грн
1000+44.59 грн
3000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 238
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885 Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
на замовлення 7529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.15 грн
50+42.53 грн
100+42.16 грн
500+39.34 грн
1000+37.99 грн
2000+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+67.87 грн
13+47.20 грн
100+46.02 грн
500+41.93 грн
1000+38.09 грн
3000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
384+79.28 грн
500+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
384+79.28 грн
500+71.35 грн
1000+65.80 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.77 грн
218+55.99 грн
233+52.42 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN-3363037.pdf MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.49 грн
25+52.32 грн
100+44.85 грн
500+44.48 грн
1000+43.47 грн
2000+42.02 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.59 грн
10+80.28 грн
27+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.06 грн
10+98.50 грн
100+77.58 грн
500+61.00 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.71 грн
10+100.04 грн
27+40.46 грн
73+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ez-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.