IRF1010EZPBF Infineon Technologies
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 26.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010EZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF1010EZPBF за ціною від 38.10 грн до 715.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1010EZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1010EZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1010EZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF1010EZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |