IRF1010EZSTRLP Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 320+ | 109.86 грн |
| 500+ | 98.89 грн |
| 1000+ | 91.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1010EZSTRLP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1010EZSTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.0068 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF1010EZSTRLP
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 153-162 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1010EZSTRLP |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 153-162 дні (днів)