Технічний опис IRF1010NSPBF
- MOSFET, N, 55V, 84A, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:84A
- On State Resistance:0.011ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:40`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
- Pulse Current Idm:290A
- Voltage Vds:55V
- Transistor Case Style:D2-PAK
Інші пропозиції IRF1010NSPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF1010NSPBF// | Виробник : IR |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IRF1010NSPBF | Виробник : International Rectifier |
 D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRF1010NSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF1010NSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC |
товару немає в наявності |