Технічний опис IRF1010NSPBF
- MOSFET, N, 55V, 84A, D2-PAK
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:84A
- On State Resistance:0.011ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:D2-PAK
- Termination Type:SMD
- Alternate Case Style:D2-PAK
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:40`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W
- Pulse Current Idm:290A
- Voltage Vds:55V
- Transistor Case Style:D2-PAK
Інші пропозиції IRF1010NSPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF1010NSPBF// | IR |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1010NSPBF// |
Виробник: IR
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)