Технічний опис IRF1010NSPBF// IR
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF1010NSPBF//
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1010NSPBF Код товару: 154257 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
 |
IRF1010NSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF1010NSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF1010NSPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC |
товару немає в наявності |