Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1010NSTRLPBF
IRF1010NSTRLPBF

IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF1010NSTRLPBF за ціною від 27.79 грн до 149.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.61 грн
1600+55.04 грн
2400+45.02 грн
4000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.67 грн
12+52.69 грн
25+52.16 грн
100+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+56.74 грн
218+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.71 грн
10+86.00 грн
100+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010NS_DataSheet_v01_00_EN-3362692.pdf MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 7693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.53 грн
10+87.36 грн
100+61.61 грн
250+60.29 грн
800+49.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.28 грн
10+98.16 грн
100+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF
Код товару: 196974
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.