Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1010NSTRLPBF
IRF1010NSTRLPBF

IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1010NSTRLPBF за ціною від 53.02 грн до 201.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+57.18 грн
25+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.72 грн
1600+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.96 грн
500+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.28 грн
10+68.30 грн
100+60.29 грн
200+58.14 грн
250+57.40 грн
500+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.07 грн
11+88.85 грн
100+75.96 грн
500+66.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.74 грн
10+85.11 грн
100+72.35 грн
200+69.77 грн
250+68.88 грн
500+63.63 грн
800+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.82 грн
10+116.12 грн
100+79.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1010NS_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.65 грн
10+127.65 грн
100+76.35 грн
500+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF
Код товару: 196974
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.