Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IRF1010NSTRLPBF

IRF1010NSTRLPBF

Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638
Код товару: 196974
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF1010NSTRLPBF за ціною від 60.53 грн до 208.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.06 грн
500+104.45 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 180W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: D2PAK
On-state resistance: 11mΩ
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.33 грн
10+101.15 грн
100+67.99 грн
250+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638 Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.45 грн
10+129.09 грн
100+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010NS_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+77.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+116.06 грн
500+104.45 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF irf1010nspbf.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 180W
Gate charge: 0.12µC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: D2PAK
On-state resistance: 11mΩ
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.33 грн
10+101.15 грн
100+67.99 грн
250+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF Infineon-IRF1010NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee33da90638
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.45 грн
10+129.09 грн
100+88.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF Infineon_IRF1010NS_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 84A 11mOhm 80nC
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.