IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies


infineon-irf1010ns-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 667 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
278+127.58 грн
500+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF1010NSTRRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF1010NSTRRPBF IRF1010NSTRRPBF Infineon / IR Infineon_IRF1010NS_DataSheet_v01_00_EN-1227401.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRRPBF Infineon_IRF1010NS_DataSheet_v01_00_EN-1227401.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 80nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.