Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1010ZSTRLPBF
IRF1010ZSTRLPBF

IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies

irf1010zspbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+109.46 грн
4000+108.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF1010ZSTRLPBF за ціною від 105.45 грн до 245.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies irf1010zspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.46 грн
4000+108.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF INFINEON 1718465.pdf Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF INFINEON 1718465.pdf Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+217.91 грн
50+140.61 грн
100+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies irf1010zspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+222.74 грн
95+148.88 грн
135+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies irf1010zspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da7d69188d Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.01 грн
10+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF irf1010zspbf.pdf
IRF1010ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+109.46 грн
4000+108.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF 1718465.pdf
IRF1010ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF 1718465.pdf
IRF1010ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 7500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+217.91 грн
50+140.61 грн
100+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF irf1010zspbf.pdf
IRF1010ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 94A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
64+222.74 грн
95+148.88 грн
135+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ZSTRLPBF irf1010zspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da7d69188d
IRF1010ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+245.01 грн
10+152.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.