Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1018ESTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 22.88 грн до 143.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+49.66 грн
299+40.73 грн
311+39.19 грн
500+37.64 грн
1000+26.88 грн
2000+24.27 грн
3200+23.23 грн
6400+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+53.52 грн
230+52.99 грн
263+46.45 грн
265+44.35 грн
500+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
478+63.67 грн
500+60.96 грн
1000+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 478
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+67.28 грн
500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+70.04 грн
13+49.70 грн
25+49.20 грн
100+41.60 грн
250+38.13 грн
500+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.59 грн
10+78.24 грн
20+45.58 грн
55+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.50 грн
10+90.36 грн
100+72.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.71 грн
10+97.49 грн
20+54.70 грн
55+51.70 грн
800+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.94 грн
10+87.16 грн
100+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.92 грн
10+95.97 грн
100+59.36 грн
500+57.25 грн
800+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар

irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.