IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 37.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 23.10 грн до 150.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 31865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF1018ESTRLPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF1018ESTRLPBF Код товару: 203741
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |