Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF

infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 86.16 грн до 181.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+175.65 грн
84+167.47 грн
87+162.01 грн
90+151.74 грн
137+91.57 грн
250+87.03 грн
500+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+175.65 грн
84+167.47 грн
87+162.01 грн
90+151.74 грн
137+91.57 грн
250+87.03 грн
500+86.16 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF 44031.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF 44031.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Клей силіконовий теплопровідний K-5202 [80г] (Kafuter)
Код товару: 82188
8 Додати до обраних Обраний товар
Клей силіконовий теплопровідний K-5202 [80г] (Kafuter)Клей силіконовий теплопровідний K-5202 [80г] (Kafuter)
Клей силіконовий теплопровідний K-5202 [80г] (Kafuter)Клей силіконовий теплопровідний K-5202 [80г] (Kafuter)
Хімія > Інша хімія
Опис: Клей
Призначення: Незамінна річ для приклеювання світлодіодів до радіаторів тощо. Має консистенцію зубної пасти, після затвердіння схожий на затверділий будівельний силіконовий герметик. Тримає склеєні деталі досить міцно, але за бажання можна відірвати. Має підвищену теплопровідність, достатню для 10-20Вт світлодіодів на підкладці STAR і матриць CXA25xx, CXA30xx.
Упаковка: 80 г
товару немає в наявності
очікується: 600 шт
  • 100 шт - очікується
  • 100 шт - очікується
  • 400 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+155.00 грн
10+144.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-B18.215
Код товару: 57758
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06
Код товару: 51940
Додати до обраних Обраний товар
mmbta06.pdf MMBTA05-MMBTA06.pdf MPSA06%2CMMBTA06%2CPZTA06.pdf
MMBTA06
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 100
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.43 грн
100+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Флюс F-2000 (20г)
Код товару: 35669
29 Додати до обраних Обраний товар
Флюс F-2000 (20г)
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс
Опис: Не дає корозії і витоків у місці пайки, навіть без видалення залишків флюсу.
Вага/Обʼєм/К-сть: 20 г
Консистенція: Паста-гель
у наявності: 143 шт
  • 74 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 500 шт
  • 500 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
1+53.00 грн
10+47.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.