Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1018ESTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 36.35 грн до 165.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
295+42.00 грн
300+41.34 грн
309+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+46.01 грн
274+45.28 грн
278+44.57 грн
283+42.28 грн
288+38.50 грн
500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.30 грн
25+48.52 грн
50+46.04 грн
100+41.95 грн
250+39.60 грн
500+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.93 грн
6+77.85 грн
10+69.99 грн
50+57.40 грн
100+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.91 грн
5+97.01 грн
10+83.98 грн
50+68.88 грн
100+66.05 грн
800+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
10+92.40 грн
100+62.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.72 грн
10+99.84 грн
100+61.75 грн
500+59.56 грн
800+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+165.13 грн
10+95.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
369+83.98 грн
500+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар

infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.