Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1018ESTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF

IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1018e-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 34.44 грн до 150.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+45.03 грн
274+44.32 грн
278+43.61 грн
283+41.38 грн
288+37.68 грн
500+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.24 грн
25+47.48 грн
50+45.06 грн
100+41.05 грн
250+38.76 грн
500+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+58.94 грн
250+56.58 грн
500+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.73 грн
5+83.49 грн
10+75.61 грн
20+46.47 грн
55+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.27 грн
5+104.04 грн
10+90.74 грн
20+55.77 грн
55+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : INFINEON 44031.pdf Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0084 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.48 грн
10+89.06 грн
100+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.78 грн
10+90.82 грн
100+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1018E_DataSheet_v01_01_EN-3362996.pdf MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.97 грн
10+100.00 грн
100+61.85 грн
500+59.66 грн
800+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1018edatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+150.20 грн
114+106.59 грн
200+96.90 грн
1000+71.40 грн
2000+65.18 грн
3200+41.67 грн
6400+34.61 грн
12800+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
369+82.20 грн
500+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 369
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF
Код товару: 203741
Додати до обраних Обраний товар

irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.