IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 38.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF1018ESTRLPBF за ціною від 37.47 грн до 172.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 56A Pulsed drain current: 315A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1018ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF1018ESTRLPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF1018ESTRLPBF Код товару: 203741
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF1018ESTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |