IRF1104PBF
Код товару: 28062
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,009 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1104PBF за ціною від 66.08 грн до 129.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF1104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC |
на замовлення 5129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRF1104PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
на замовлення 13266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRF1104PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRF1104PBF |
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 66.08 грн |
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 80.54 грн |
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 101.09 грн |
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 129.94 грн |
| 500+ | 116.94 грн |
| 1000+ | 107.85 грн |
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 129.94 грн |
| 500+ | 116.94 грн |
| 1000+ | 107.85 грн |
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 273+ | 129.94 грн |
| 500+ | 116.94 грн |
| 1000+ | 107.85 грн |
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 13266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1104PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1104PBF |
![]() |
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)






