IRF1104PBF Infineon Technologies
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 48.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF1104PBF за ціною від 52.22 грн до 192.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC |
на замовлення 5911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 8228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF1104PBF |
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 104 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRF1104PBF Код товару: 28062
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 100 A Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|