IRF1104PBF


IRF1104PBF.pdf
Код товару: 28062
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,009 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF1104PBF за ціною від 66.08 грн до 129.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1104_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 13266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+129.94 грн
500+116.94 грн
1000+107.85 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF Infineon_IRF1104_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 13266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.