Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1104PBF
IRF1104PBF

IRF1104PBF

IRF1104PBF.pdf
Код товару: 28062
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 100 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,009 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2900/93
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF1104PBF за ціною від 53.86 грн до 160.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+128.78 грн
500+115.90 грн
1000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+128.78 грн
500+115.90 грн
1000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+128.78 грн
500+115.90 грн
1000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.87 грн
50+76.61 грн
100+68.97 грн
500+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies Infineon_IRF1104_DataSheet_v01_01_EN-3362911.pdf MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF Infineon Technologies infineonirf1104datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104.pdf
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+128.78 грн
500+115.90 грн
1000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+128.78 грн
500+115.90 грн
1000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+128.78 грн
500+115.90 грн
1000+106.89 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 8228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.87 грн
50+76.61 грн
100+68.97 грн
500+53.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF Infineon_IRF1104_DataSheet_v01_01_EN-3362911.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF infineonirf1104datasheetv0101en.pdf
IRF1104PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.