IRF1104PBF Infineon Technologies
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 50.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF1104PBF за ціною від 50.32 грн до 179.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC |
на замовлення 5911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 8228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF1104PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF1104PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF1104PBF THT N channel transistors |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1104PBF |
IRF1104PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 104 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRF1104PBF Код товару: 28062
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 40 V Idd,A: 100 A Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/93 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|