Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1310NSTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF

IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 51.75 грн до 218.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.44 грн
1600+62.02 грн
2400+59.55 грн
4000+53.29 грн
5600+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.71 грн
250+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.69 грн
168+84.17 грн
800+82.07 грн
1600+78.35 грн
2400+71.97 грн
4000+66.34 грн
5600+64.70 грн
8000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.00 грн
10+139.69 грн
100+84.17 грн
800+79.14 грн
1600+72.54 грн
2400+69.09 грн
4000+66.34 грн
5600+64.70 грн
8000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.24 грн
10+184.03 грн
25+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.19 грн
10+147.68 грн
50+124.71 грн
100+93.71 грн
250+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.12 грн
10+127.23 грн
100+87.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1310NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.12 грн
10+135.87 грн
100+80.87 грн
500+61.68 грн
800+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.77 грн
89+159.69 грн
158+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 74400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+65.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+69.44 грн
1600+62.02 грн
2400+59.55 грн
4000+53.29 грн
5600+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+78.45 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+93.71 грн
250+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
102+139.69 грн
168+84.17 грн
800+82.07 грн
1600+78.35 грн
2400+71.97 грн
4000+66.34 грн
5600+64.70 грн
8000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 170100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+181.00 грн
10+139.69 грн
100+84.17 грн
800+79.14 грн
1600+72.54 грн
2400+69.09 грн
4000+66.34 грн
5600+64.70 грн
8000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+185.24 грн
10+184.03 грн
25+182.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+200.19 грн
10+147.68 грн
50+124.71 грн
100+93.71 грн
250+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.12 грн
10+127.23 грн
100+87.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF Infineon_IRF1310NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+205.12 грн
10+135.87 грн
100+80.87 грн
500+61.68 грн
800+57.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
65+218.77 грн
89+159.69 грн
158+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.