IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 66.49 грн |
| 1600+ | 59.35 грн |
| 2400+ | 56.96 грн |
| 4000+ | 50.94 грн |
| 5600+ | 49.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 160W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.
Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 84.08 грн до 240.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 75200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 75200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 94858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 94858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 6106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
на замовлення 6448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 89.96 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 75200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 89.96 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 95.87 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 96.12 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 94858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 146.16 грн |
| 168+ | 84.32 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 94858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 193.99 грн |
| 10+ | 146.16 грн |
| 100+ | 84.32 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.83 грн |
| 10+ | 122.38 грн |
| 100+ | 84.08 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 198.25 грн |
| 10+ | 197.09 грн |
| 25+ | 195.93 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 238.88 грн |
| 10+ | 168.76 грн |
| 100+ | 90.10 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 240.33 грн |
| 84+ | 169.78 грн |
| 157+ | 90.65 грн |
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF1310NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)