Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1310NSTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF

IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+67.09 грн
2400+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 160W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 79.62 грн до 240.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 101258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.16 грн
168+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 101258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.99 грн
10+146.16 грн
100+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.91 грн
100+134.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.25 грн
10+197.09 грн
25+195.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+123.48 грн
50+94.27 грн
100+79.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+240.05 грн
84+169.65 грн
157+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1310NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+95.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 101258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.16 грн
168+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 101258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+193.99 грн
10+146.16 грн
100+84.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+194.91 грн
100+134.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+198.25 грн
10+197.09 грн
25+195.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.09 грн
10+123.48 грн
50+94.27 грн
100+79.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+240.05 грн
84+169.65 грн
157+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF Infineon_IRF1310NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 6442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.