Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1310NSTRLPBF

IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

Name: IRF1310NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 42358882-5
Price: 51480.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 74400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 51.17 грн до 216.33 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 74400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	64.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0

Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

на замовлення 6400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	68.66 грн
1600+	61.33 грн
2400+	58.89 грн
4000+	52.69 грн
5600+	51.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	77.58 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	78.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : INFINEON

INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	92.66 грн
250+	84.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 170100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
102+	138.13 грн
168+	83.23 грн
800+	81.15 грн
1600+	77.47 грн
2400+	71.17 грн
4000+	65.60 грн
5600+	63.98 грн
8000+	63.65 грн

Мінімальне замовлення: 102

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 170100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	178.98 грн
10+	138.13 грн
100+	83.23 грн
800+	78.25 грн
1600+	71.73 грн
2400+	68.32 грн
4000+	65.60 грн
5600+	63.98 грн
8000+	63.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	183.18 грн
10+	181.98 грн
25+	180.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1278 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	197.96 грн
10+	146.04 грн
50+	123.32 грн
100+	92.66 грн
250+	84.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V

на замовлення 6995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	201.84 грн
10+	125.81 грн
100+	86.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC

на замовлення 6459 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	202.83 грн
10+	134.35 грн
100+	79.97 грн
500+	60.99 грн
800+	57.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 762 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
65+	216.33 грн
89+	157.91 грн
158+	88.70 грн

Мінімальне замовлення: 65

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : International Rectifier

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF1310NSTRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.