Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1310NSTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF

IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 282400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 56.17 грн до 116.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 282400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+56.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.30 грн
250+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+80.72 грн
10+76.17 грн
25+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 8810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.67 грн
10+72.67 грн
100+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1310NS_DataSheet_v01_01_EN-3363038.pdf MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC
на замовлення 10771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.62 грн
10+84.64 грн
100+66.54 грн
500+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838812-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.26 грн
10+96.04 грн
50+87.61 грн
100+73.30 грн
250+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1310nsdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1310ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1310nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dab12918a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 140A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.