IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 284000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 53.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1310NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF1310NSTRLPBF за ціною від 57.26 грн до 201.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 284000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 42A 36mOhm 73.3nC |
на замовлення 9636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1310NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.036 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 8435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRF1310NSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |