Інші пропозиції IRF1312PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF1312PBF | International Rectifier |
 УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF1312PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF1312PBF | Infineon / IR |
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1312PBF |
|
Виробник: International Rectifier
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Транзистори
УСТАРЕВШИЙ. РЕКОМЕНД. IRF2807ZPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1312PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1312PBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.