IRF1324PBF
Код товару: 94346
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 24 В
Струм стоку Idd, А: 249 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1324PBF за ціною від 82.19 грн до 261.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF1324PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRF1324PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 24V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 731+ | 109.47 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 161.08 грн |
| 10+ | 131.29 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 177.19 грн |
| 500+ | 159.47 грн |
| 1000+ | 147.66 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 177.19 грн |
| 500+ | 159.47 грн |
| 1000+ | 147.66 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 246.19 грн |
| 50+ | 118.99 грн |
| 100+ | 107.58 грн |
| 500+ | 82.19 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 261.89 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 24V 353A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 261.89 грн |
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - IRF1324PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 195 A, 1500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 24V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







