IRF1324PBF
Код товару: 94346
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 24 В
Струм стоку Idd, А: 249 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 7590/160
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1324PBF за ціною від 74.61 грн до 223.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRF1324PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF1324PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7590 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 195A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.17 грн |
| 50+ | 108.01 грн |
| 100+ | 97.65 грн |
| 500+ | 74.61 грн |
| IRF1324PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
MOSFETs MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)