Інші пропозиції IRF135B203 за ціною від 52.37 грн до 210.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |