IRF135B203 Infineon Technologies
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 199+ | 62.51 грн |
| 220+ | 56.51 грн |
| 221+ | 56.34 грн |
| 500+ | 54.15 грн |
| 1000+ | 48.97 грн |
| 2000+ | 46.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF135B203 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF135B203 за ціною від 51.10 грн до 232.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.27µC On-state resistance: 8.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 91A Drain-source voltage: 135V Power dissipation: 441W Pulsed drain current: 512A |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135B203 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.27µC On-state resistance: 8.4mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 91A Drain-source voltage: 135V Power dissipation: 441W Pulsed drain current: 512A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF135B203 Код товару: 142696
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF135B203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |