Інші пропозиції IRF135B203 за ціною від 53.21 грн до 186.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 6235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF135B203 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRF135B203 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 71.10 грн |
| 220+ | 64.28 грн |
| 221+ | 64.09 грн |
| 500+ | 61.59 грн |
| 1000+ | 55.70 грн |
| 2000+ | 53.21 грн |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.50 грн |
| 25+ | 65.54 грн |
| 100+ | 65.34 грн |
| 500+ | 62.80 грн |
| 1000+ | 56.79 грн |
| 2000+ | 54.25 грн |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 109.06 грн |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 165.82 грн |
| 500+ | 158.76 грн |
| 1000+ | 150.53 грн |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 165.82 грн |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 165.82 грн |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.13 грн |
| 50+ | 106.19 грн |
| 100+ | 104.00 грн |
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF135B203 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF135B203 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 129 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






