IRF135B203


irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1
Код товару: 142696
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF135B203 за ціною від 105.44 грн до 188.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies Infineon_IRF135S203_DataSheet_v01_01_EN-3362768.pdf MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.53 грн
25+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 IRF135B203 Infineon Technologies irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
50+107.66 грн
100+105.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 Infineon_IRF135S203_DataSheet_v01_01_EN-3362768.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+159.53 грн
25+108.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.72 грн
50+107.66 грн
100+105.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.