IRF135S203

IRF135S203 Infineon Technologies


irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF135S203 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF135S203 за ціною від 106.63 грн до 283.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+123.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : INFINEON 2211598.pdf Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.65 грн
10+185.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF135S203_DataSheet_v01_01_EN-3362768.pdf MOSFETs MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.80 грн
10+192.70 грн
100+123.39 грн
250+122.63 грн
500+106.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+283.67 грн
52+238.94 грн
55+224.70 грн
100+167.65 грн
500+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : Infineon Technologies irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : INFINEON 2211598.pdf Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 IRF135S203 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf135s203-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135S203 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.