IRF135S203 Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 80.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF135S203 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 129A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm.
Інші пропозиції IRF135S203 за ціною від 106.15 грн до 253.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135S203 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg |
на замовлення 809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135S203 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135S203 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 135 V, 129 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 129A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRF135S203 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 135V Drain current: 91A Pulsed drain current: 512A Power dissipation: 441W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.27µC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
IRF135S203 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 77A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRF135S203 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 135V Drain current: 91A Pulsed drain current: 512A Power dissipation: 441W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.27µC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |