IRF135SA204 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 135V 160A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11690 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 224.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF135SA204 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 500W, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm.
Інші пропозиції IRF135SA204 за ціною від 355.72 грн до 822.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF135SA204 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135SA204 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF135SA204 | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg |
на замовлення 9 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF135SA204 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF135SA204 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IRF135SA204 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 135V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF135SA204 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 437.60 грн |
| 100+ | 419.76 грн |
| 500+ | 401.92 грн |
| IRF135SA204 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 437.60 грн |
| 100+ | 419.76 грн |
| 500+ | 401.92 грн |
| 1000+ | 366.93 грн |
| IRF135SA204 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
MOSFET MOSFET, 135V, 168A 6.2 mOhm, 206 nC Qg
на замовлення 9 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 660.14 грн |
| 10+ | 587.49 грн |
| 100+ | 422.91 грн |
| 500+ | 368.67 грн |
| IRF135SA204 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 135V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 822.87 грн |
| 24+ | 599.32 грн |
| 50+ | 531.54 грн |
| 100+ | 481.60 грн |
| 200+ | 420.44 грн |
| 500+ | 376.10 грн |
| 800+ | 355.72 грн |
| IRF135SA204 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF135SA204 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
Description: INFINEON - IRF135SA204 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 160 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)