Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1404LPBF
IRF1404LPBF

IRF1404LPBF Infineon Technologies

infineonirf1404ldatasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1404LPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.

Інші пропозиції IRF1404LPBF за ціною від 82.46 грн до 272.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineonirf1404ldatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.04 грн
10+160.35 грн
100+129.10 грн
500+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.26 грн
10+175.62 грн
25+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.18 грн
10+136.17 грн
100+107.13 грн
500+87.40 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF infineonirf1404ldatasheeten.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
188+188.58 грн
500+169.72 грн
1000+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+208.04 грн
10+160.35 грн
100+129.10 грн
500+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+251.26 грн
10+175.62 грн
25+127.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN-3363039.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+272.18 грн
10+136.17 грн
100+107.13 грн
500+87.40 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.