Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1404STRLPBF
IRF1404STRLPBF

IRF1404STRLPBF Infineon Technologies

irf1404l.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1404STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 162A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1404STRLPBF за ціною від 61.68 грн до 227.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+74.77 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+74.99 грн
169+73.80 грн
171+72.60 грн
174+68.86 грн
250+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+80.35 грн
10+79.07 грн
25+77.79 грн
100+73.78 грн
250+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.89 грн
500+67.38 грн
1000+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Polarisation: unipolar
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.68 грн
10+95.69 грн
20+90.10 грн
50+82.93 грн
100+77.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+139.58 грн
500+126.14 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+139.58 грн
500+126.14 грн
1000+115.80 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.81 грн
10+119.24 грн
20+108.13 грн
50+99.51 грн
100+92.82 грн
200+86.12 грн
500+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+166.59 грн
10+125.37 грн
100+97.89 грн
500+67.38 грн
1000+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1404L_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.79 грн
10+125.00 грн
100+84.97 грн
500+77.31 грн
800+69.12 грн
2400+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.71 грн
10+142.49 грн
100+98.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+139.58 грн
500+126.14 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF
Код товару: 169012
Додати до обраних Обраний товар

irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.