Інші пропозиції IRF1404STRLPBF за ціною від 67.84 грн до 282.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1404STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1404STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 142 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC |
на замовлення 2906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF1404STRLPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF1404STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |