IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 61.85 грн |
| 1600+ | 55.15 грн |
| 2400+ | 52.91 грн |
| 4000+ | 47.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF1404ZSTRLPBF за ціною від 51.25 грн до 259.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 457 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
на замовлення 4244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1404ZSTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |