Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1404ZSTRLPBF
IRF1404ZSTRLPBF

IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

irf7380pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+58.19 грн
1600+57.61 грн
2400+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1404ZSTRLPBF за ціною від 51.36 грн до 213.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+62.42 грн
1600+61.79 грн
2400+61.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.92 грн
500+90.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 220W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Polarisation: unipolar
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.68 грн
10+96.48 грн
50+76.55 грн
100+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 220W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.81 грн
10+120.23 грн
50+91.86 грн
100+85.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.58 грн
10+122.36 грн
100+75.71 грн
500+67.13 грн
800+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.48 грн
10+114.98 грн
100+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.96 грн
50+155.43 грн
100+109.92 грн
500+90.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+213.40 грн
91+137.30 грн
100+134.82 грн
500+89.33 грн
1000+73.85 грн
2000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.