Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1405STRLPBF
IRF1405STRLPBF

IRF1405STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1405STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1405STRLPBF за ціною від 53.38 грн до 185.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1405spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.92 грн
250+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+104.11 грн
10+83.00 грн
25+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.65 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.31 грн
10+96.40 грн
100+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+148.09 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.48 грн
10+117.73 грн
50+106.21 грн
100+87.92 грн
250+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF1405S_DataSheet_v01_01_EN-3362903.pdf MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.80 грн
10+120.69 грн
100+83.67 грн
250+82.93 грн
500+80.73 грн
800+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf1405s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.