IRF1405STRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 60.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF1405STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF1405STRLPBF за ціною від 74.19 грн до 246.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1405STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V |
на замовлення 946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC |
на замовлення 6398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRF1405STRLPBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IRF1405STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRF1405STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 131A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |