Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1405STRLPBF
IRF1405STRLPBF

IRF1405STRLPBF Infineon Technologies

irf1405spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1405STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1405STRLPBF за ціною від 62.48 грн до 191.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+75.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.64 грн
500+71.49 грн
1000+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.63 грн
10+87.99 грн
25+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
120+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+149.88 грн
500+134.48 грн
1000+124.21 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.41 грн
10+104.59 грн
100+91.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.31 грн
10+111.69 грн
100+94.64 грн
500+71.49 грн
1000+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF1405S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 10065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.53 грн
10+115.38 грн
100+99.57 грн
500+85.13 грн
800+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF Виробник : International Rectifier HiRel Products IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+149.88 грн
500+134.48 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5DCEDEDF06F1A303005056AB0C4F&compId=irf1405spbf.pdf?ci_sign=8ffb81f923f936adf8e3205c35e37a3d5a64cf83 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.