Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1405STRLPBF
IRF1405STRLPBF

IRF1405STRLPBF Infineon Technologies

IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+85.13 грн
1600+76.31 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1405STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції IRF1405STRLPBF за ціною від 82.46 грн до 301.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.79 грн
250+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.47 грн
10+155.41 грн
50+137.32 грн
100+100.79 грн
250+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.19 грн
10+180.19 грн
100+137.48 грн
500+107.52 грн
800+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.19 грн
79+180.19 грн
103+137.48 грн
500+107.52 грн
800+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.43 грн
10+152.71 грн
100+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.78 грн
10+246.20 грн
25+245.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1405S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 4691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.11 грн
10+178.32 грн
100+112.77 грн
500+94.45 грн
800+87.40 грн
2400+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+301.16 грн
68+208.35 грн
100+152.16 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1405sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+100.79 грн
250+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+117.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF INFN-S-A0012838014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1405STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 131 A, 5300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 3707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+238.47 грн
10+155.41 грн
50+137.32 грн
100+100.79 грн
250+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+243.19 грн
10+180.19 грн
100+137.48 грн
500+107.52 грн
800+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+243.19 грн
79+180.19 грн
103+137.48 грн
500+107.52 грн
800+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405%28S%2CL%29PbF.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+243.43 грн
10+152.71 грн
100+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+246.78 грн
10+246.20 грн
25+245.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF Infineon-IRF1405S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC
на замовлення 4691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+277.11 грн
10+178.32 грн
100+112.77 грн
500+94.45 грн
800+87.40 грн
2400+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
47+301.16 грн
68+208.35 грн
100+152.16 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF infineonirf1405sdatasheeten.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.