Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF1407STRLPBF
IRF1407STRLPBF

IRF1407STRLPBF Infineon Technologies

irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.55 грн
1600+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF1407STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF1407STRLPBF за ціною від 53.06 грн до 195.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+76.70 грн
10+71.61 грн
25+70.89 грн
100+63.79 грн
250+58.66 грн
500+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
148+82.60 грн
158+77.12 грн
160+76.35 грн
171+68.69 грн
250+63.18 грн
500+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 11404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.89 грн
10+124.65 грн
100+91.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN-1731972.pdf MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.67 грн
10+138.30 грн
100+90.57 грн
500+85.37 грн
800+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002297173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.70 грн
10+144.07 грн
100+107.43 грн
500+95.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266
Додати до обраних Обраний товар

irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Виробник : Infineon Technologies 224789863463550irf1407spbf.pdffileid5546d462533600a4015355db309b18ca.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.