Інші пропозиції IRF1407STRLPBF за ціною від 51.71 грн до 216.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF1407STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF1407STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. в кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| IRF1407STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 70A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |