Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF1407STRLPBF
IRF1407STRLPBF

IRF1407STRLPBF

infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
Код товару: 107266
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF1407STRLPBF за ціною від 52.04 грн до 238.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.55 грн
1600+56.76 грн
2400+54.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.87 грн
1600+84.02 грн
2400+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.28 грн
1600+84.43 грн
2400+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.25 грн
10+122.12 грн
100+74.55 грн
800+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.51 грн
10+116.64 грн
100+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF INFINEON INFN-S-A0002297173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.91 грн
10+127.99 грн
100+87.79 грн
500+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF Infineon Technologies infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.18 грн
87+162.38 грн
122+116.18 грн
500+95.90 грн
800+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.55 грн
1600+56.76 грн
2400+54.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+84.87 грн
1600+84.02 грн
2400+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.28 грн
1600+84.43 грн
2400+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF Infineon_irf1407spbf_DS_v01_02_EN.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.25 грн
10+122.12 грн
100+74.55 грн
800+52.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.51 грн
10+116.64 грн
100+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF INFN-S-A0002297173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1407STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.91 грн
10+127.99 грн
100+87.79 грн
500+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineonirf1407spbfdsv0102en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+238.18 грн
87+162.38 грн
122+116.18 грн
500+95.90 грн
800+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.