IRF150DM115XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 160.58 грн |
| 500+ | 131.57 грн |
| 1000+ | 108.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF150DM115XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF150DM115XTMA1 за ціною від 85.73 грн до 346.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF150DM115XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel MOSFET |
на замовлення 2722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001511080 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF150DM115XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |