Технічний опис IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF150DM115XTMA1 за ціною від 86.69 грн до 333.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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IRF150DM115XTMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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IRF150DM115XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRF150DM115XTMA1 |
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Виробник: INFINEON
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 152.95 грн |
| 500+ | 118.35 грн |
| 1000+ | 100.09 грн |
| IRF150DM115XTMA1 |
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Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.34 грн |
| 10+ | 184.81 грн |
| 100+ | 112.77 грн |
| 500+ | 93.04 грн |
| 2500+ | 86.69 грн |
| IRF150DM115XTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: WDSON
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
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Bauform - Transistor: WDSON
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 333.03 грн |
| 10+ | 218.73 грн |
| 100+ | 152.95 грн |
| 500+ | 118.35 грн |
| 1000+ | 100.09 грн |