Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF150DM115XTMA1
IRF150DM115XTMA1

IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies

infineonirf150dm115datasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-channel MOSFET
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+145.17 грн
500+138.15 грн
1000+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.

Інші пропозиції IRF150DM115XTMA1 за ціною від 111.60 грн до 310.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF150DM115-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c543dc4d4e Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.20 грн
10+197.16 грн
100+139.19 грн
500+111.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 INFINEON 4327854.pdf Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF150DM115_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1 IRF150DM115XTMA1 INFINEON 4327854.pdf Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1 Infineon-IRF150DM115-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f84c543dc4d4e
IRF150DM115XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+310.20 грн
10+197.16 грн
100+139.19 грн
500+111.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1 4327854.pdf
IRF150DM115XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1 Infineon_IRF150DM115_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IRF150DM115XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1 4327854.pdf
IRF150DM115XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.