| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 182+ | 195.77 грн |
| 500+ | 186.28 грн |
| 1000+ | 175.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
182 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF150DM115XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm.
Інші пропозиції IRF150DM115XTMA1 за ціною від 108.97 грн до 355.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100V DIRECTFETPackaging: Cut Tape (CT) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF150DM115XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 736 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF150DM115XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WDSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRF150DM115XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm |
на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF150DM115XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 4685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.81 грн |
| 10+ | 225.87 грн |
| 50+ | 176.15 грн |
| 100+ | 150.30 грн |
| 500+ | 130.61 грн |
| IRF150DM115XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 736 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 355.79 грн |
| 10+ | 181.66 грн |
| 100+ | 143.34 грн |
| 500+ | 122.86 грн |
| 1000+ | 118.47 грн |
| 2500+ | 108.97 грн |
| IRF150DM115XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF150DM115XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
Description: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)