IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies


infineonirf150p220datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+532.74 грн
100+505.58 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 67 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 556W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.

Інші пропозиції IRF150P220AKMA1 за ціною від 313.97 грн до 789.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies infineonirf150p220datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+784.84 грн
25+517.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies infineonirf150p220datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+784.84 грн
28+517.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9 Description: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
на замовлення 10921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.06 грн
25+462.06 грн
50+423.56 грн
100+367.12 грн
500+313.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 INFINEON Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9 Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 infineonirf150p220datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+784.84 грн
25+517.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 infineonirf150p220datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+784.84 грн
28+517.46 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
на замовлення 10921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+789.06 грн
25+462.06 грн
50+423.56 грн
100+367.12 грн
500+313.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.