IRF150P220AKMA1

IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies


infineonirf150p220datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+531.56 грн
100+504.45 грн
500+478.52 грн
1000+435.29 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF150P220AKMA1 за ціною від 277.40 грн до 805.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.18 грн
10+422.25 грн
100+310.04 грн
400+295.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonirf150p220datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+708.76 грн
28+518.41 грн
100+474.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9 Description: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.30 грн
25+458.67 грн
100+386.86 грн
500+309.19 грн
1000+291.91 грн
2000+277.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1 IRF150P220AKMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IRF150P220-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166aca241ac65c9 Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+805.53 грн
5+660.84 грн
10+516.16 грн
50+451.36 грн
100+368.57 грн
250+360.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.