IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 531.56 грн |
| 100+ | 504.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF150P220AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 556W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm.
Інші пропозиції IRF150P220AKMA1 за ціною від 516.31 грн до 783.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF150P220AKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF150P220AKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IRF150P220AKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 203A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 556W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
 |
IRF150P220AKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF150P220AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 783.10 грн |
| 25+ | 516.31 грн |
| IRF150P220AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 783.10 грн |
| 28+ | 516.31 грн |
| IRF150P220AKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
Description: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF150P220AKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)