Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF150P221AKMA1
IRF150P221AKMA1

IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies

infineonirf150p221datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 113800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
108+328.84 грн
500+312.34 грн
1000+294.66 грн
10000+267.08 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 186A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF150P221AKMA1 за ціною від 212.10 грн до 708.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies infineonirf150p221datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.46 грн
48+298.29 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies infineonirf150p221datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.50 грн
10+298.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.63 грн
3+359.72 грн
10+236.70 грн
25+212.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Description: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.35 грн
25+257.66 грн
100+214.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 Infineon Technologies infineonirf150p221datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+611.11 грн
38+374.70 грн
100+363.76 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 IRF150P221AKMA1 INFINEON 3204915.pdf Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.00 грн
10+457.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 infineonirf150p221datasheetv0202en.pdf
IRF150P221AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+386.46 грн
48+298.29 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 infineonirf150p221datasheetv0202en.pdf
IRF150P221AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+386.50 грн
10+298.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
IRF150P221AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+416.63 грн
3+359.72 грн
10+236.70 грн
25+212.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
IRF150P221AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+454.35 грн
25+257.66 грн
100+214.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 infineonirf150p221datasheetv0202en.pdf
IRF150P221AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+611.11 грн
38+374.70 грн
100+363.76 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 3204915.pdf
IRF150P221AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+708.00 грн
10+457.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.