Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > IRF200B211
IRF200B211

IRF200B211 International Rectifier

irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4
Виробник: International Rectifier
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
384+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF200B211 International Rectifier

Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції IRF200B211 за ціною від 37.76 грн до 155.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies Infineon_IRF200B211_DataSheet_v01_01_EN-3362868.pdf MOSFETs N
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.07 грн
10+69.39 грн
100+50.99 грн
500+48.10 грн
1000+41.42 грн
2000+38.12 грн
10000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Infineon Technologies irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.29 грн
50+62.94 грн
100+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 INFINEON INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.07 грн
10+132.09 грн
100+67.20 грн
500+54.09 грн
1000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 Infineon_IRF200B211_DataSheet_v01_01_EN-3362868.pdf
IRF200B211
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.07 грн
10+69.39 грн
100+50.99 грн
500+48.10 грн
1000+41.42 грн
2000+38.12 грн
10000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4
IRF200B211
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.29 грн
50+62.94 грн
100+56.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF200B211
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+155.07 грн
10+132.09 грн
100+67.20 грн
500+54.09 грн
1000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.