IRF200B211 International Rectifier
Виробник: International Rectifier
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 319+ | 69.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
319 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF200B211 International Rectifier
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Інші пропозиції IRF200B211 за ціною від 73.63 грн до 149.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 8243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRF200B211 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V Verlustleistung: 80W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
на замовлення 2763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRF200B211 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF200B211 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.72 грн |
| 500+ | 79.84 грн |
| 1000+ | 73.63 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.72 грн |
| 500+ | 79.84 грн |
| 1000+ | 73.63 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.72 грн |
| 500+ | 79.84 грн |
| 1000+ | 73.63 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 141.33 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 141.33 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.71 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.72 грн |
| 500+ | 79.84 грн |
| 1000+ | 73.63 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 88.72 грн |
| 500+ | 79.84 грн |
| 1000+ | 73.63 грн |





