IRF200B211 Infineon Technologies
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 41.26 грн |
| 301+ | 41.16 грн |
| 500+ | 40.43 грн |
| 1000+ | 38.89 грн |
| 2000+ | 35.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF200B211 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF200B211 за ціною від 40.54 грн до 139.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF200B211 | Виробник : International Rectifier |
 Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200B211 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200B211 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF200B211 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200B211 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF200B211 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF200B211 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF200B211 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF200B211 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |