IRF200B211 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 47.14 грн |
| 301+ | 47.03 грн |
| 500+ | 46.20 грн |
| 1000+ | 44.44 грн |
| 2000+ | 40.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF200B211 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRF200B211 за ціною від 51.15 грн до 132.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF200B211 | International Rectifier |
 Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200B211 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF200B211 | Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF200B211 |
|
Виробник: International Rectifier
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 384+ | 51.15 грн |
| IRF200B211 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 226+ | 62.80 грн |
| 247+ | 57.47 грн |
| IRF200B211 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 70.82 грн |
| 13+ | 62.80 грн |
| 100+ | 57.47 грн |
| IRF200B211 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 122+ | 116.85 грн |
| 127+ | 111.63 грн |
| 250+ | 107.15 грн |
| 500+ | 99.60 грн |
| 1000+ | 89.21 грн |
| IRF200B211 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.51 грн |
| 50+ | 61.65 грн |
| 100+ | 55.23 грн |
| IRF200B211 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)