Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF200B211
IRF200B211

IRF200B211 Infineon Technologies

irf200b211.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF200B211 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm.

Інші пропозиції IRF200B211 за ціною від 25.99 грн до 108.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
656+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 656
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
224+52.46 грн
242+ 48.47 грн
264+ 44.46 грн
272+ 41.56 грн
500+ 37.01 грн
1000+ 34.27 грн
2000+ 33.02 грн
Мінімальне замовлення: 224
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+52.93 грн
248+ 47.23 грн
Мінімальне замовлення: 222
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.05 грн
10+ 54.8 грн
100+ 42.6 грн
500+ 33.89 грн
1000+ 27.61 грн
2000+ 25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF200B211_DataSheet_v01_01_EN-3362868.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81 грн
10+ 64.03 грн
100+ 49 грн
500+ 44.73 грн
1000+ 39.39 грн
2000+ 36.72 грн
5000+ 36.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+108.59 грн
10+ 82.38 грн
100+ 61.86 грн
500+ 51.67 грн
1000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF200B211 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF200B211.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF200B211 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRF200B211.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній