Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF200B211
IRF200B211

IRF200B211 Infineon Technologies

infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+40.67 грн
301+40.57 грн
500+39.86 грн
1000+38.34 грн
2000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF200B211 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF200B211 за ціною від 39.51 грн до 133.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
468+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 468
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+54.17 грн
247+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+56.73 грн
13+50.30 грн
100+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF200B211_DataSheet_v01_01_EN-3362868.pdf MOSFETs N
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+72.59 грн
100+53.34 грн
500+50.32 грн
1000+43.33 грн
2000+39.87 грн
10000+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.80 грн
127+96.30 грн
250+92.43 грн
500+85.92 грн
1000+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : INFINEON INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.02 грн
12+71.39 грн
100+63.46 грн
500+50.88 грн
1000+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 Description: MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
50+66.13 грн
100+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies irf200b211.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200b211-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf200b211.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db4d5418d4 IRF200B211 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.