Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF200P222
IRF200P222

IRF200P222 Infineon Technologies

infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF200P222 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 182A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF200P222 за ціною від 297.37 грн до 789.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+512.99 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+524.05 грн
10+493.23 грн
25+457.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+564.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.32 грн
10+564.44 грн
25+507.40 грн
100+454.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5AA0FD11CAA18&compId=IRF200P222.pdf?ci_sign=d9afdb99cae98fec1b59ed6668faa1e90e91f9fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 129A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 203nC
Technology: StrongIRFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+657.75 грн
2+454.30 грн
6+429.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+666.18 грн
21+608.13 грн
25+546.67 грн
100+489.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+676.54 грн
20+636.98 грн
50+591.34 грн
100+502.73 грн
200+446.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF200P222-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b3e42ba4a0744 Description: MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9820 pF @ 50 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+698.62 грн
25+388.86 грн
100+340.34 грн
500+297.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF200P222_DataSheet_v02_01_EN-3362880.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+743.32 грн
10+653.42 грн
25+501.43 грн
100+455.72 грн
250+440.48 грн
400+361.38 грн
2800+347.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : INFINEON 2718797.pdf Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+774.16 грн
5+674.84 грн
10+574.72 грн
50+499.65 грн
100+429.82 грн
250+350.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5AA0FD11CAA18&compId=IRF200P222.pdf?ci_sign=d9afdb99cae98fec1b59ed6668faa1e90e91f9fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 200V; 129A; 556W
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 129A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 203nC
Technology: StrongIRFET™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+789.30 грн
2+566.12 грн
6+515.22 грн
25+513.41 грн
50+495.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P222 IRF200P222 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf200p222-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.