Технічний опис IRF200P222 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 182A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF200P222 за ціною від 517.65 грн до 784.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF200P222 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200P222 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200P222 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200P222 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200P222 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF200P222 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF200P222 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 182A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 556W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF200P222 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 654.33 грн |
| 10+ | 615.85 грн |
| 25+ | 571.82 грн |
| IRF200P222 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 654.33 грн |
| IRF200P222 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 772.04 грн |
| 10+ | 704.76 грн |
| 25+ | 633.54 грн |
| 100+ | 567.38 грн |
| IRF200P222 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 772.38 грн |
| 21+ | 705.07 грн |
| 25+ | 633.82 грн |
| 100+ | 567.64 грн |
| IRF200P222 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 182A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 784.39 грн |
| 20+ | 738.53 грн |
| 50+ | 685.61 грн |
| 100+ | 582.88 грн |
| 200+ | 517.65 грн |
| IRF200P222 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX OPTIMOS
MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF200P222 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF200P222 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 182 A, 0.0053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)