Технічний опис IRF200P223 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF200P223 за ціною від 211.00 грн до 506.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF200P223 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247ACInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF200P223 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF200P223 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF200P223 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRF200P223 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRF200P223 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF200P223 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 444.13 грн |
| 25+ | 311.99 грн |
| 100+ | 279.10 грн |
| 500+ | 211.00 грн |
| IRF200P223 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 506.49 грн |
| 10+ | 497.51 грн |
| 25+ | 419.37 грн |
| 100+ | 360.78 грн |
| 400+ | 269.98 грн |
| IRF200P223 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 506.71 грн |
| 29+ | 497.73 грн |
| 34+ | 419.55 грн |
| 100+ | 360.93 грн |
| 400+ | 270.10 грн |
| IRF200P223 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX OPTIMOS
MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF200P223 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF200P223 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)