IRF200P223 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 323.50 грн |
| 10+ | 316.95 грн |
| 100+ | 205.57 грн |
| 500+ | 184.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF200P223 INFINEON
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF200P223 за ціною від 209.90 грн до 501.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF200P223 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 50800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF200P223 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5094 pF @ 50 V |
на замовлення 646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF200P223 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF200P223 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF200P223 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF200P223 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IRF200P223 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |


