Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF200P223
IRF200P223

IRF200P223 Infineon Technologies

infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+574.13 грн
10+506.12 грн
100+441.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF200P223 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF200P223 за ціною від 441.78 грн до 575.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF200P223 IRF200P223 Infineon Technologies infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+575.12 грн
28+507.00 грн
100+441.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223 IRF200P223 Infineon Technologies Infineon_IRF200P223_DataSheet_v02_01_EN-3362997.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223 IRF200P223 INFINEON 2849759.pdf Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223 infineonisc080n10nm6datasheetv0202en.pdf
IRF200P223
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+575.12 грн
28+507.00 грн
100+441.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223 Infineon_IRF200P223_DataSheet_v02_01_EN-3362997.pdf
IRF200P223
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200P223 2849759.pdf
IRF200P223
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200P223 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0115 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.