Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF200S234 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRF200S234
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF200S234 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF200S234 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF200S234 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 90 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 417 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: StrongIRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF200S234 | Infineon Technologies |
Enhancement N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IRF200S234 | Infineon Technologies |
Enhancement N Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRF200S234 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6484 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF200S234 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200S234 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 417
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF200S234 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 417
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: StrongIRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF200S234 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement N Channel MOSFET
Enhancement N Channel MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF200S234 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement N Channel MOSFET
Enhancement N Channel MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.