IRF2204PBF Infineon Technologies


irf2204pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db560418d6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+227.06 грн
50+109.24 грн
100+98.59 грн
500+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2204PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF2204PBF за ціною від 71.03 грн до 245.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2204pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2204_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.32 грн
10+115.65 грн
100+81.58 грн
500+75.95 грн
1000+75.25 грн
5000+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+227.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description Infineon_IRF2204_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+245.32 грн
10+115.65 грн
100+81.58 грн
500+75.95 грн
1000+75.25 грн
5000+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.