IRF2204PBF Infineon Technologies


infineonirf2204datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF2204PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF2204PBF за ціною від 73.48 грн до 223.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies infineonirf2204datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies infineonirf2204datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies infineonirf2204datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies infineonirf2204datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+157.94 грн
500+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies irf2204pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db560418d6 description Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.40 грн
50+106.99 грн
100+96.57 грн
500+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2204pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies Infineon_IRF2204_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF Infineon Technologies infineonirf2204datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description infineonirf2204datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description infineonirf2204datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description infineonirf2204datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description infineonirf2204datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
224+157.94 грн
500+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db560418d6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.40 грн
50+106.99 грн
100+96.57 грн
500+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description Infineon_IRF2204_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description infineonirf2204datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.