IRF2204PBF Infineon Technologies
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 60.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2204PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF2204PBF за ціною від 67.86 грн до 232.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2204PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 210A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2204PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 210A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 210A 3.6mOhm 130nC |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF2204PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |