IRF2204SPBF Infineon Technologies
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 116.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2204SPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF2204SPBF за ціною від 121.46 грн до 163.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRF2204SPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF2204SPBF - IRF2204 - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRF2204SPBF Код товару: 119472
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||
 |
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC |
товару немає в наявності |