IRF2204SPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
162+ | 122.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF2204SPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF2204SPBF за ціною від 104.02 грн до 134.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
IRF2204SPBF Код товару: 119472 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC |
товар відсутній |