Інші пропозиції IRF2204SPBF за ціною від 121.29 грн до 121.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAKOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V |
на замовлення 903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 130A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IRF2204SPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 40V 170A 3.6mOhm 130nC |
товару немає в наявності |